连接器的接触电阻和连接器的电磁干扰

　　连接器接触对是指连接器的阳性接触件和阴性接触件相互接触实现电连接的金属元件，阳性接触件和阴性接触件在接触区形成一个电阻，称之为接触电阻，接触电阻有以下几部分组成：

　　1）集中电阻Rc，清洁的金属表面通过施加一定的压力（弹力）互相接触在一起时形成的电阻Rc称之为集中电阻，由于接触区的接触面积很小，电流一到接触区相互被压缩在一起，使电流密连接器度增加，此对产生的电阻称之为集中电阻。

　　当两种金属在弹性压力下相互接触时，由于金属表面并非理想的光滑表面，其表面粗糙度使得接触区并非是面接触，往往是一点或几点接触，在一定压力作用下，高的波峰处首先被压平，使得原来不接触的较低波峰处也产生接触，亦即是说，压力越大，参与接触的点越多。

　　2）膜层电阻Rt，金属表面由于吸附气体或表面产生氧元器件化或磁化或受到吸附的氧化物的污染而在表面形成一层薄膜，这种薄膜往往是电的不良导体，从而造成接触电阻很高，这种薄膜在一定的压力，摩擦以及一定电压作用下碎裂，使得底层金属互相接触，产生隧道效应，故电阻Rt称为隧道电阻（或称膜层电阻）。

　　膜层电阻是影响接触电阻变大的主要因素，Rt一般占总接触电阻的70%～80%，所以应给Rt以充分重视，为接插件了降低膜层电阻的影响，接触元件表面一般都要镀复抗氧化性能强，化学稳定性好的贵金属镀层，以提高金属元件的抗氧化性能，但有的贵金属，如银，其导电性能很好，但抗氧化和硫化性能很差，为此，几采用镀银工艺的，表面最好用触点保护剂处理一下，以提高抗氧化和硫化性能。

　　3）金属导体本身的体积电阻Rb，不同材料的体积电阻不同，体积电阻的大小取决于合金电子连接器的金相组织结构，当材料上附加一个电场时，其自由移动的电子云在电场的作用下，加速向正极移动，移动越快，材料的导电率就越好（即电阻率越低）而合金中的“杂质”或微量元素的存在，又引起电场的不均匀度，从而扩大了电子运动的偏转和反射量的增加，并增大了偏移量和反射量，这对材料的导电率产生了不利的影响，不同合金材料，电阻率变化很大。

　　噪声的耦合和工业连接器传播。

　　共模噪声是由于不合理的设计产生的，有些典型的原因是不同线对中个别导线的长度不同，或到电源平面或机壳的距离不同，另一个原因是元件的缺陷，如磁感应线圈与变压器，电容器与有源器件(例如应用特殊的集成电路(ASIC))。

　　磁性元件，特别是所谓“铁芯扼流圈”型贮能电感器，是用在电源变换器之中的，总是产生电磁场，磁路中的气隙相当于串联电板对板路中的一个大电阻，那儿要消耗较多的电能。

　　于是，铁芯扼流圈，绕制在铁氧体棒上，在棒周围产生强的电磁场，在电极附近有最强的场强，在使用回描结构的开关电源中，变压器上必定有一个空隙，其间有很强的磁场，在其中保持磁场最合适的元件是螺旋管，使电磁场沿管芯长度方向分布，这就是在高频工作的磁性元件优选螺旋结构的原因之一。

　　排针不恰当的去耦电路通常也变成干扰源，如果电路要求大的脉冲电流，以及局部去耦时不能保证小电容或十分高的内阻需要，则由电源回路产生的电压就下降，这相当于纹波，或者相当于终端间的电压快速变化，由于封装的杂散电容，干扰能耦合到其它电路中去，引起共模问题。

　　当共模电流污染I/O接口电路时，该问题必须解决在通过连接器之前，不同的应用，建议用不同的方法来解决这个问题，排母在视频电路中，那儿I/O信号是单端的，且公用同一共同回路，要解决它，用小型LC滤波器滤掉噪声。

　　在低频串联接口网络中，有些杂散电容就足够将噪声分流到底板上，差分驱动的接口，如以太，通常是通过变压器耦合到I/O区域，是在变压器一侧或两侧的中心抽头提供耦合的，这些中心抽头经高压电容器与底板相连，将共模噪声分流到底板上，以使信号不发生失真。